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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。金允智致命之旅演的谁p>

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士(金允智致命之旅演的谁shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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